Walluf, 07.02.2007 | Assa Abloy Identification Technologies (ITG), ein weltweit führender Hersteller und Anbieter von Produkten in den Bereichen Identifizierungstechnologie und RFID, bringt den neuen Sokymat IN Tag F-Mem 16kbit auf den Markt.
Der Transponder ist außergewöhnlich oft wieder beschreibbar und wurde speziell für anspruchsvolle Umgebungen in Industrie und Automation entwickelt, die hohe Anforderungen an die Haltbarkeit des Speichers und Materials stellen. Seine hohe Lebensdauer verdankt der neue IN Tag F- Mem der speziellen FRAM® (Ferroelectric Random Access Memory)-Technologie.
Der Transponder speichert wie eine kleine Datenbank jede Bewegung eines gekennzeichneten Objekts. Bei jedem Schritt im Produktionsprozess werden die Daten lokal auf dem Speicher im Inneren des RFID-Tags aktualisiert. Pro Chip sind auf diese Weise täglich einige hundert Speicherprozesse möglich, abhängig von der Anzahl der Produktionsschritte und -zyklen. Auf ein Jahr hochgerechnet, bedeutet das mehrere 100.000 neue Speicherzyklen pro Chip. Solche Werte werden derzeit ausschließlich durch den Einsatz von FRAM®-Technologie erzielt.
Die Leistung konventioneller RFID-Tags, die auf EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)-Speicher zurückgreifen, beschränkt sich auf etwa 100.000 Speichervorgänge. Im Vergleich dazu erhöht sich mit dem IN Tag F-Mem 16kbit die Anzahl um das 100.000-fache auf zehn Milliarden Lese- und Schreibvorgänge. Dank des großen Speichers kann der IN Tag F-Mem etwa 2.000 Zeichen erfassen. Er ist kompatibel zu den Normen ISO15693 sowie ISO18000-3, die die Kommunikation auf 13,56MHz regeln.
Mit dem IN Tag F-Mem ergänzt ITG ihre IN Tag-Produktfamilie um einen RFID IC mit großem Speicher mit FRAM®-Technologie. Um für jeden Bedarf das optimale Verhältnis zwischen Größe und Lesereichweite zu erzielen, sind die IN Tag-Produkte in Größen von 20, 30 und 50 Millimeter erhältlich. Sie sind bestens für industrielle Anwendungen geeignet, da sie sehr robust und widerstandsfähig gegen extreme Temperaturen als auch gegen die meisten Chemikalien sind, die in der Automationsindustrie zum Einsatz kommen.
Im Vergleich zu EEPROM bietet die FRAM®-Technologie einige weitere Vorteile: Die Methode reduziert den Energieverbrauch während des Beschreibens um das Tausendfache. Dadurch verbessert sich die Schreibleistung so weit, dass sich Lese- und Schreibleistung praktisch nicht mehr unterscheiden. Darüber hinaus ist die FRAM®-Technologie deutlich weniger empfindlich gegenüber Gammastrahlen und eignet sich beispielsweise für medizinische Umgebungen, in denen Geräte mit Gammabestrahlung sterilisiert werden.
"Die Kombination von FRAM®-Technologie und RFID, integriert in kleine Schaltkreis, eröffnet ganz neue Perspektiven für Industrie und Automation", sagt Philippe Held, Business Segment Director Industry & Logistics bei ITG. "Der IN Tag F-Mem 16kbit bietet Integratoren und OEM-Kunden eine zuverlässige und kosteneffektive Möglichkeit, die Anforderungen von zehn Millarden Schreibvorgängen zu erfüllen. Einige bekannte OEM-Unternehmen aus dem Automationssektor haben den IN Tag F-Mem 16kbit bereits qualifiziert und in ihr Portfolio aufgenommen."
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